Abstract
Es wird ein Verfahren zum Einbetten magnetischer Nanokristalle (4) in einen Halbleiter, wobei paramagnetische und ferromagnetische Materialien wiederholt abwechselndaus einer Gasphase auf einen Träger (1) abgeschieden werden. Um die magnetischen Nanokristalle (4) sowohl in einer vorgegebenen Tiefe als auch mit einer vorgegebenen horizontalen Verteilung im Halbleiter anordnen zu können, wird vorgeschlagen, dass mit Hilfe einer Gasphasenepitaxie zunächst auf dem Träger (1) eine Pufferschicht (3) aus Galliumnitrid, dann wiederholt abwechselnd paramagnetisches Gallium-Eisennitrid und ferromagnetisches Eisennitrid unter Ausbildung von einphasigen Nanokristallen (4) und abschließend eine Deckschicht (5) aus Galliumnitrid abgeschieden werden.
| Original language | German (Austria) |
|---|---|
| Patent number | AT512636B1 |
| Publication status | Published - 15 Oct 2013 |
Fields of science
- 103040 Photonics
- 103 Physics, Astronomy
- 210006 Nanotechnology
- 202032 Photovoltaics
- 103018 Materials physics
- 103011 Semiconductor physics
- 103017 Magnetism
- 103009 Solid state physics
JKU Focus areas
- Sustainable Development: Responsible Technologies and Management
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