Abstract
Es wird ein lichtemittierendes Halbleiterelement auf Basis von Aluminiumgalliumnitrid zur Aussendung von ultraviolettem Licht mit Wellenlängen von 300nm und weniger mit einer zwischen einem Substrat (1) und einer Kontaktfläche (8) angeordnetem optisch aktiven Bereich (5) beschrieben. Um bei Halbleiterelementen für diesen Wellenlängenbereich den Effizienzgrad zu erhöhen, wird vorgeschlagen, dass sowohl zwischen dem Substrat (1) und dem optisch aktiven Bereich (5) als auch zwischen der Kontaktfläche und dem optisch aktiven Bereich (5) jeweils eine Übergangsschicht (4, 7) anzuordnen, in der jeweils zum optisch aktiven Bereich (5) hin der Aluminiumanteil der Aluminiumgalliumnitridlegierung auf mindestens 60%, vorzugsweise 70% zunimmt.
| Original language | German (Austria) |
|---|---|
| Patent number | AT519500B1 |
| Publication status | Published - 15 Mar 2019 |
Fields of science
- 103018 Materials physics
- 103011 Semiconductor physics
- 103017 Magnetism
- 103 Physics, Astronomy
- 210006 Nanotechnology
- 103009 Solid state physics
- 103040 Photonics
- 202032 Photovoltaics
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