RDS on Epitaxial Grown II-VI Semiconductors

Project: Funded researchFWF - Austrian Science Fund

Project Details

Description

Die Methode der RDS hat sich bei der Oberflächenanalyse von III-V-Verbindungen sehr bewährt. Diese Erfahrungen sollen auf II-VI-Verbindungen übertragen werden und damit eine Charakterisierung der Oberfläche während des epitaktischen Wachstums ermöglichen.
StatusFinished
Effective start/end date01.11.199629.02.2000

Fields of science

  • 103009 Solid state physics
  • 103018 Materials physics
  • 103 Physics, Astronomy
  • 210006 Nanotechnology
  • 103011 Semiconductor physics
  • 103017 Magnetism

JKU Focus areas

  • Sustainable Development: Responsible Technologies and Management