Metastabile Defects in GaN

Verbindungen der III. und V. Gruppe des Periodensystem sind Halbleiter, die für die Herstellung von Lasern eingesetzt werden. Kürzlich ist es nun gelungen, auch aus Galliumnitrid eine Halbleiter-Laserdiode zu entwickeln. In diesem Projekt sollen nun erstmals die Parameter von verschiedenen Donatoren und Akzeptoren in GaN und verwandten Materialien im Hinblick auf Bauelementebeinflussung und neue Anwendungen bestimmt werden.