Project Details
Description
Herstellung epitaktischer Schichten aus C60 und C60-Ba-Verbindungen hoher kristalliner Qualität. Als Wachstumsmethode wurde die Hot-Wall-Epitaxie gewählt, da sie wegen ihres geschlossenen Charakters ein Wachstum nahe am thermodynamischen Gleichgewicht erlaubt und daher für die Van-der-Waals-Epitaxie besonders geeignet erscheint
| Status | Finished |
|---|---|
| Effective start/end date | 01.01.1996 → 31.12.1998 |
Fields of science
- 103009 Solid state physics
- 103018 Materials physics
- 103 Physics, Astronomy
- 210006 Nanotechnology
- 103011 Semiconductor physics
- 103017 Magnetism
JKU Focus areas
- Sustainable Development: Responsible Technologies and Management