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Thermally stimulated relaxation of misfit strains in Si1-xGex/Si(100) heterostructures with different buffer layers

Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelBegutachtung

OriginalspracheEnglisch
Seiten (von - bis)1020-1026
Seitenumfang7
FachzeitschriftCrystallography Reports
Volume50
Ausgabenummer6
DOIs
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2006

Wissenschaftszweige

  • 103 Physik, Astronomie
  • 103009 Festkörperphysik
  • 103011 Halbleiterphysik
  • 103017 Magnetismus
  • 103018 Materialphysik
  • 103040 Photonik
  • 202032 Photovoltaik
  • 210006 Nanotechnologie

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