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Strain engineering in Si via closely stacked, site-controlled SiGe islands

Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelBegutachtung

OriginalspracheEnglisch
Aufsatznummer193101
Seiten (von - bis)193101
Seitenumfang3
FachzeitschriftApplied Physics Letters
Volume96
Ausgabenummer19
DOIs
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2010

Wissenschaftszweige

  • 103 Physik, Astronomie
  • 103009 Festkörperphysik
  • 103011 Halbleiterphysik
  • 103017 Magnetismus
  • 103018 Materialphysik
  • 103040 Photonik
  • 202032 Photovoltaik
  • 210006 Nanotechnologie

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