Raman spectroscopy determination of composition and strain in Si1-xGex/Si heterostructures

Fabio Pezzoli; E. Bonera; E. Grilli; M. Guzzi; S. Sanguinetti; Daniel Chrastina; G. Isella; H. von Känel; Eugen Wintersberger; Julian Stangl; Günther Bauer

Raman spectroscopy determination of composition and strain in Si1-xGex/Si heterostructures

Fabio Pezzoli
, E. Bonera
, E. Grilli
, M. Guzzi
, S. Sanguinetti
, Daniel Chrastina
, G. Isella
, H. von Känel
, Eugen Wintersberger
, Julian Stangl
, Günther Bauer

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Begutachtung

Originalsprache	Englisch
Seiten (von - bis)	279-284
Seitenumfang	6
Fachzeitschrift	Materials Science in Semiconductor Processing
Volume	11
Publikationsstatus	Veröffentlicht - 2008

UN SDGs

Dieser Output leistet einen Beitrag zu folgendem(n) Ziel(en) für nachhaltige Entwicklung

SDG 7 – Erschwingliche und saubere Energie

Wissenschaftszweige

103 Physik, Astronomie
103009 Festkörperphysik
103011 Halbleiterphysik
103017 Magnetismus
103018 Materialphysik
103040 Photonik
202032 Photovoltaik
210006 Nanotechnologie

Dieses zitieren

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TY - JOUR

T1 - Raman spectroscopy determination of composition and strain in Si1-xGex/Si heterostructures

AU - Pezzoli, Fabio

AU - Bonera, E.

AU - Grilli, E.

AU - Guzzi, M.

AU - Sanguinetti, S.

AU - Chrastina, Daniel

AU - Isella, G.

AU - von Känel, H.

AU - Wintersberger, Eugen

AU - Stangl, Julian

AU - Bauer, Günther

PY - 2008

Y1 - 2008

M3 - Article

SN - 1369-8001

VL - 11

SP - 279

EP - 284

JO - Materials Science in Semiconductor Processing

JF - Materials Science in Semiconductor Processing

ER -