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On-line growth control of MOCVD deposited GaN and related ternary compounds via spectroscopic ellipsometry and x-ray diffraction

Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelBegutachtung

OriginalspracheEnglisch
Seiten (von - bis)2259-2264
Seitenumfang6
FachzeitschriftPhysica Status Solidi A: Applications and Materials Science
Volume201
Ausgabenummer9
DOIs
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2004

Wissenschaftszweige

  • 103 Physik, Astronomie
  • 103009 Festkörperphysik
  • 103011 Halbleiterphysik
  • 103017 Magnetismus
  • 103018 Materialphysik
  • 210006 Nanotechnologie
  • 103040 Photonik
  • 202032 Photovoltaik

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