Zur Hauptnavigation wechseln Zur Suche wechseln Zum Hauptinhalt wechseln

Metal-insulator transition in Sb-doped short period Si/SiGe superlattices

Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelBegutachtung

OriginalspracheEnglisch
Seiten (von - bis)1624-1629
Seitenumfang6
FachzeitschriftSemiconductor Science and Technology
Volume11
Ausgabenummer11 SUPPL. S
DOIs
PublikationsstatusVeröffentlicht - Nov. 1996

Wissenschaftszweige

  • 103 Physik, Astronomie
  • 103009 Festkörperphysik
  • 103011 Halbleiterphysik
  • 103017 Magnetismus
  • 103018 Materialphysik
  • 103040 Photonik
  • 202032 Photovoltaik
  • 210006 Nanotechnologie

Dieses zitieren