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Influence of GaN domain size on the electron mobility of two-dimensional electron gases in AlGaN/GaN heterostructures determined by x-ray reflectivity and diffraction

  • Zhenyang Zhong
  • , O. Ambacher
  • , A. Link
  • , Vaclav Holy
  • , Julian Stangl
  • , Rainer T. Lechner
  • , T. Roch
  • , Günther Bauer

Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelBegutachtung

OriginalspracheEnglisch
Seiten (von - bis)3521-3523
Seitenumfang3
FachzeitschriftApplied Physics Letters
Volume80
Ausgabenummer19
DOIs
PublikationsstatusVeröffentlicht - 13 Mai 2002

Wissenschaftszweige

  • 103 Physik, Astronomie
  • 103009 Festkörperphysik
  • 103011 Halbleiterphysik
  • 103017 Magnetismus
  • 103018 Materialphysik
  • 103040 Photonik
  • 202032 Photovoltaik
  • 210006 Nanotechnologie

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