Epitaxial Growth and Physical Properties of HgSe:Fe Layers and Microstructures

Publikation: Beitrag in Buch/Bericht/Konferenzband › Konferenzbeitrag

Originalsprache	Englisch
Titel	Proceedings of the 22nd International Conference on The Physics of Semiconductors
Seiten	2557
Seitenumfang	1
Publikationsstatus	Veröffentlicht - 1995

UN SDGs

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TY - GEN

T1 - Epitaxial Growth and Physical Properties of HgSe:Fe Layers and Microstructures

AU - Widmer, T.

AU - Schikora, D.

AU - Hendorfer, G.

AU - Machel, G.

AU - Barczewski, M.

AU - Jantsch, Wolfgang

AU - Lischka, K.

AU - Ortenberg, M. von

PY - 1995

Y1 - 1995

M3 - Conference proceedings

SP - 2557

BT - Proceedings of the 22nd International Conference on The Physics of Semiconductors

ER -