Doping of silicon layers from a sublimating Erbium source in Molecular Beam Epitaxy

B.A. Andreev; V.Yu. Chalkov; Heinz Ellmer; Z. F. Krasilnik; G.A. Maksimov; V. G. Shengurov; Margarita V. Stepikhova; S.P. Svetlov; E.A. Uskova

doi:10.1134/1.1262734

Doping of silicon layers from a sublimating Erbium source in Molecular Beam Epitaxy

B.A. Andreev
, V.Yu. Chalkov
, Heinz Ellmer
, Z. F. Krasilnik
, G.A. Maksimov
, V. G. Shengurov
, Margarita V. Stepikhova
, S.P. Svetlov
, E.A. Uskova

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Begutachtung

Originalsprache	Englisch
Seiten (von - bis)	41-43
Seitenumfang	3
Fachzeitschrift	Technical Physics Letters
Volume	26
Ausgabenummer	1
DOIs	https://doi.org/10.1134/1.1262734
Publikationsstatus	Veröffentlicht - Jän. 2000

Wissenschaftszweige

103 Physik, Astronomie
103008 Experimentalphysik
103020 Oberflächenphysik
103005 Atomphysik
103009 Festkörperphysik
103013 Ionenphysik
103015 Kondensierte Materie
103017 Magnetismus
103018 Materialphysik
103021 Optik
103023 Polymerphysik
104014 Oberflächenchemie
104018 Polymerchemie
503015 Fachdidaktik Technische Wissenschaften
202012 Elektrische Messtechnik
202036 Sensorik
203016 Messtechnik
210001 Nanoanalytik
210004 Nanomaterialien

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10.1134/1.1262734

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