Atomic-layer epitaxy of (100) CdTe on GaAs substrates

W. Faschinger
, Helmut Sitter

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Artikel › Begutachtung

Originalsprache	Englisch
Seiten (von - bis)	566-571
Seitenumfang	6
Fachzeitschrift	Journal of Crystal Growth
Volume	99
Ausgabenummer	1-4
DOIs	https://doi.org/10.1016/0022-0248(90)90584-8
Publikationsstatus	Veröffentlicht - 1990

Wissenschaftszweige

103 Physik, Astronomie
103009 Festkörperphysik
103011 Halbleiterphysik
103017 Magnetismus
103018 Materialphysik
103040 Photonik
202032 Photovoltaik
210006 Nanotechnologie

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10.1016/0022-0248(90)90584-8

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TY - JOUR

T1 - Atomic-layer epitaxy of (100) CdTe on GaAs substrates

AU - Faschinger, W.

AU - Sitter, Helmut

PY - 1990

Y1 - 1990

UR - https://www.scopus.com/pages/publications/0025229328

U2 - 10.1016/0022-0248(90)90584-8

DO - 10.1016/0022-0248(90)90584-8

M3 - Article

VL - 99

SP - 566

EP - 571

JO - Journal of Crystal Growth

JF - Journal of Crystal Growth

IS - 1-4

ER -