Hot Electron Injection Field Effect Transistor ("HEIFET")

Im Rahmen dieses Projektes soll ein neuer Feldeffekttransistor mit wesentlich verbesserten Hochfrequenzeigenschaften entwickelt werden. Das neue Bauelement unterscheidet sich von herkömmlichen Feldeffekttransistoren durch einen speziell ausgebildeten Source-Kontakt, der heiße, also sehr schnelle Elektronen in den Kanal (Gate)-Bereich injiziert. Ein Antrag auf Erteilung eines österreichischen Patentes wurde im Mai 1997 eingereicht (Geschäftszahl A 868/97). Aufgrund der erwarteten wesentlich höheren Grenzfrequenz erscheint das neue Bauelement für industrielle und KFZ-Anwendungen im 60GHz (ISM)-Band und darüber besonders gut geeignet, da die Herstellungskosten wesentlich niedriger liegen als die für herkömmliche Feldeffekttransistoren, deren Elektrodenstrukturen für diesen Frequenzbereich kleiner als 0,25um sein müssen, während man für die Herstellung des neuen Bauelementes mit der wesentlich kostengünstigeren 0,75um-Technologie das Auslangen finden sollte. Der Kostenvorteil ermöglicht für die Millimeterwellen-Sensorik und für die Kommunikationstechnik neue Anwendungen in hohen Stückzahlen.