Erbium in Silizium

Si eignet sich aus prinzipiellen physikalischen Gründen nicht für lichtemittierende Bauelemente nach den von den halbleitenden II-V- und II-VI-Verbindungen bekannten Prinzipien. Ein möglicher Ansatz, die prinzipiellen Beschränkungen durch die indirekte Bandlücke des Si zu umgehen, besteht in der optischen Dotierung von Si und hier insbesondere mit Erbium, einem Element der Gruppe der seltenen Erden. Es sollen die Möglichkeiten, Er bei Raumtemperatur elektrisch anzuregen, untersucht und optimiert werden. Ziel: Entwicklung einer effizienten lichtemittierenden Diode und Möglichkeit zur Realisierung eines Lasers.