Projektdetails
Beschreibung
Herstellung epitaktischer Schichten aus C60 und C60-Ba-Verbindungen hoher kristalliner Qualität. Als Wachstumsmethode wurde die Hot-Wall-Epitaxie gewählt, da sie wegen ihres geschlossenen Charakters ein Wachstum nahe am thermodynamischen Gleichgewicht erlaubt und daher für die Van-der-Waals-Epitaxie besonders geeignet erscheint
| Status | Abgeschlossen |
|---|---|
| Tatsächliches Beginn-/Enddatum | 01.01.1996 → 31.12.1998 |
Wissenschaftszweige
- 103009 Festkörperphysik
- 103018 Materialphysik
- 103 Physik, Astronomie
- 210006 Nanotechnologie
- 103011 Halbleiterphysik
- 103017 Magnetismus
JKU-Schwerpunkte
- Sustainable Development: Responsible Technologies and Management