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D-DOT FET - Disposable Dot Field Effect Transistor for High Speed Si Integrated Circuits

Projekt: Geförderte ForschungEU - Europäische Union

Projektdetails

StatusAbgeschlossen
Tatsächliches Beginn-/Enddatum01.10.200530.09.2009

Projektbeteiligte

Wissenschaftszweige

  • 103009 Festkörperphysik
  • 103018 Materialphysik
  • 103 Physik, Astronomie
  • 103040 Photonik
  • 202032 Photovoltaik
  • 210006 Nanotechnologie
  • 103011 Halbleiterphysik
  • 103017 Magnetismus

JKU-Schwerpunkte

  • Sustainable Development: Responsible Technologies and Management
  • Digital Transformation
  • Phonon strain shift coefficients in Si1-xGex alloys

    Pezzoli, F., Bonera, E., Grilli, E., Guzzi, M., Sanguinetti, S., Chrastina, D., Isella, G., von Känel, H., Wintersberger, E., Stangl, J. & Bauer, G., 2008, in: Journal of Applied Physics. 103, 9, S. 093521 4 S., 093521.

    Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelBegutachtung